华邦电CUBE达类HBM效果

华邦电近日表示，公司自研的CUBE解决方案，将可用DDR3堆叠出类似HBM效果，带宽甚至可超越HBM4，预期2026年逐步开始贡献，2028年CUBE营收可占公司DRAM事业的40%。

最初应该会在挖矿应用领域发酵，后续可延伸至监控摄影、穿戴设备等AI边缘运算场景。

华邦电指出，CUBE透过DDR3芯片垂直堆叠设计，目前实验室已完成3颗堆叠版本，量产阶段将挑战堆叠至4颗加上一supporting die。

其弹性设计可依SoC面积与I/O数量调整带宽，标准DRAM通常仅16～24个I/O，CUBE设计则可扩展至2000～8000个I/O，在保持低频率运作下，仍能达到高效能传输。

公司强调，CUBE并非用来取代HBM，而是填补HBM与传统DRAM之间的市场空缺。

以HBM3e为例，单一1GB产品的售价约为标准DRAM的7倍，华邦电CUBE则预期可提供仅约一半价格的选择，同时提供2GB、4GB、8GB等弹性容量组合，适用于不需大容量却需高带宽与低热负载的SoC应用。

公司强调，CUBE以Wafer-on-Wafer架构堆叠，内部有超过1万亿处接点，每颗间距仅3微米，对贴合良率与杂质控制极为严格，量产难度高。

华邦电指出，这是一个很辛苦的产品线，但相对来说获利潜力也高。

而CUBE产品目前皆在高雄厂进行试产，多数将采16纳米，亦有少数客户选择以20纳米制程。

目前高雄厂月产能约1.5万片、台中厂达5.2万片。

公司表示，自2025年3月起两地产能已全数满载，反映急单需求强劲。

不过公司也坦言，近期台币急升与报价未涨使第二季转盈仍存有挑战，将等待下半年需求回升与价格调涨机会，盼能抵销汇率压力。